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　　高頻化、集成化、標(biāo)準(zhǔn)模塊化和智能化是電力電子器件未來的主要發(fā)展方向。
 

　　(1)隨著電力電子技術(shù)應(yīng)用的不斷發(fā)展，對(duì)電力電子器件性能指標(biāo)和可靠性的要求也日益苛刻。具體而言，要求電力電子器件具有更大的電流密度、更高的工作溫度、更強(qiáng)的散熱能力、更高的工作電壓、更低的通態(tài)壓降、更快的開關(guān)時(shí)間，而對(duì)于航天和軍事應(yīng)用，還要求有更強(qiáng)的抗輻射能力和抗振動(dòng)沖擊能力。特別是航天、航空、艦船、輸變電、機(jī)車、裝甲車輛等使用條件惡劣的應(yīng)用領(lǐng)域，以上要求更為迫切。
 

　　(2)未來幾年中，盡管以硅為半導(dǎo)體材料的雙極功率器件和場控功率器件已趨于成熟，但是各種新結(jié)構(gòu)和新工藝的引入，仍可使其性能得到進(jìn)一步提高和改善，Coolmos、各種改進(jìn)型IGBT和IGCT均有相當(dāng)?shù)纳透偁幜Α?br /> 

　　(3)電力電子器件的智能化應(yīng)用也在不斷研究中取得了實(shí)質(zhì)成果。一些國外制造企業(yè)已經(jīng)開發(fā)出了相應(yīng)的IPM智能化功率模塊，結(jié)構(gòu)簡單、功能齊全、運(yùn)行可靠性高，并具有自診斷和保護(hù)的功能。
 

　　(4)新型高頻器件碳化硅和氮化鎵器件正在迅速發(fā)展，一些器件有望在不遠(yuǎn)的將來實(shí)現(xiàn)商品化，總部位于美國北卡羅來納的CREE公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用的SiC二極管和MOSFET[2]  。但由于材料和制造工藝方面的問題，還需要大量的研究投入和時(shí)間才能逐步解決，位于北卡州立大學(xué)的FREEDM中心正在對(duì)此技術(shù)進(jìn)行研究。